ECH8601M-TL-H
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
Número de pieza：
ECH8601M-TL-H
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH
RoHS：
NO
ECH8601M-TL-H Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración：
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8A (Ta)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
24V
Función FET：
Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.3V @ 1mA
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-ECH
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
7.5nC @ 4.5V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 4A, 4.5V
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Leads
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