ECH8660-TL-H
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
Número de pieza：
ECH8660-TL-H
Modelo alternativo：
ECH8661-TL-H , SIA519EDJ-T1-GE3
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
RoHS：
YES
ECH8660-TL-H Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-SMD, Flat Lead
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración：
N and P-Channel
Función FET：
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30V
Potencia - Máx.：
1.5W
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
4.5A
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-ECH
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
4.4nC @ 10V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
59mOhm @ 2A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
240pF @ 10V
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