NVMFD5877NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
Número de pieza：
NVMFD5877NLT1G
Modelo alternativo：
NVMFD5877NLT3G , NVMFD5C680NLWFT1G , STL7DN6LF3 , NVMFS5C442NLWFAFT1G , NCV4296-2CSN50T1G , NRVBS3200NT3G , SZ1SMA5945BT3G , NCV7344AD10R2G , MURB1620CTRT4G , NVTFS5116PLTWG , NVMFS3D0P04M8LT1G , NCV33161DMR2G , NVTFS5C453NLTAG , NCV8460ADR2G
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
RoHS：
YES
NVMFD5877NLT1G Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6A
Potencia - Máx.：
3.2W
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
20nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
540pF @ 25V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
39mOhm @ 7.5A, 10V
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