NVMFD5873NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Número de pieza：
NVMFD5873NLWFT1G
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
RoHS：
YES
NVMFD5873NLWFT1G Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Función FET：
Logic Level Gate
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60V
Potencia - Máx.：
3.1W
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
13mOhm @ 15A, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
30.5nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1560pF @ 25V
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