MG12150S-BN2MM
IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
Número de pieza：
MG12150S-BN2MM
Modelo alternativo：
FF200R12KE4HOSA1
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
Descripción：
IGBT MODULE 1200V 200A 625W S3
RoHS：
YES
MG12150S-BN2MM Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
1200 V
Aporte：
Standard
Tipo IGBT：
Trench Field Stop
Termistor NTC：
No
Corriente: corte del colector (máx.)：
1 mA
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
200 A
Configuración：
Half Bridge
Potencia - Máx.：
625 W
Paquete / Estuche：
S-3 Module
Paquete de dispositivo del proveedor：
S3
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
1.7V @ 15V, 150A (Typ)
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce：
10.5 nF @ 25 V
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