VT6M1T2CR
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
Número de pieza：
VT6M1T2CR
Modelo alternativo：
GL1-MFF2-250 , EM6M2T2R , RE1C002UNTCL , BMA400 , ABM10-166-12.000MHZ-T3 , BGU8103X , TCR2LE30 , LM(CT , SSM6L56FE , LM , DA221ZMT2L , BM15FR0.8-20DS-0.35V(53) , MCP73831T-2ACI/OT , 150060VS75000 , RYM002N05T2CL , TPS62740DSSR , NRF9160-SICA-B1A-R7
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
RoHS：
YES
VT6M1T2CR Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
6-SMD, Flat Leads
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración：
N and P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
Función FET：
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Potencia - Máx.：
120mW
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 100µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
100mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
7.1pF @ 10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
VMT6
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