FDMD8280
MOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWER
Número de pieza：
FDMD8280
Modelo alternativo：
NTMFD6H846NLT1G , 704-15K36T , VLMS30K1L2-GS08 , SFH615A-3X006
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
Descripción：
MOSFET 2N-CH 80V 11A 12POWER
RoHS：
YES
FDMD8280 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Configuración：
2 N-Channel (Dual)
Potencia - Máx.：
1W
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
44nC @ 10V
Paquete / Estuche：
12-PowerWDFN
Paquete de dispositivo del proveedor：
12-Power3.3x5
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
80V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.2mOhm @ 11A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3050pF @ 40V
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