GPA015A120MN-ND
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
Número de pieza：
GPA015A120MN-ND
Fabricante：
SemiQ
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Descripción：
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
RoHS：
YES
GPA015A120MN-ND Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
1200 V
Paquete / Estuche：
TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de entrada：
Standard
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
2.5V @ 15V, 15A
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
30 A
Condición de prueba：
600V, 15A, 10Ohm, 15V
Corriente - Colector Pulsado (Icm)：
45 A
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-3PN
Cargo de puerta：
210 nC
Tipo IGBT：
NPT and Trench
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
320 ns
Potencia - Máx.：
212 W
Energía de conmutación：
1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (encendido/apagado) a 25°C：
25ns/166ns
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