GPA030A135MN-FDR
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
Número de pieza：
GPA030A135MN-FDR
Fabricante：
SemiQ
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
Descripción：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
RoHS：
YES
GPA030A135MN-FDR Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo IGBT：
Trench Field Stop
Paquete / Estuche：
TO-3P-3, SC-65-3
Tipo de entrada：
Standard
Corriente - Colector (Ic) (Max)：
60 A
Corriente - Colector Pulsado (Icm)：
90 A
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-3PN
Vce(encendido) (Máx.) @ Vge, Ic：
2.4V @ 15V, 30A
Tensión - Avería Colector Emisor (Máx.)：
1350 V
Tiempo de recuperación inversa (trr)：
450 ns
Potencia - Máx.：
329 W
Td (encendido/apagado) a 25°C：
30ns/145ns
Cargo de puerta：
300 nC
Condición de prueba：
600V, 30A, 5Ohm, 15V
Energía de conmutación：
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
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