FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
Número de pieza：
FDMA6676PZ
Modelo alternativo：
MCP2562FD-E/SN , LT3065IDD-2.5#PBF , NTLJS17D0P03P8ZTAG , TPS22810TDBVRQ1 , KDMIX-SL1-NS-WS-B15 , EMI4192MTTAG , ESDA24P140-1U3M , SIC437AED-T1-GE3 , NTLJS7D2P02P8ZTAG , FUSB302MPX , TPS22810DBVR , DMN3067LW-7 , ECMF02-2HSMX6 , FUSB340TMX , T55P475M010C0200
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
RoHS：
YES
FDMA6676PZ Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs (máx.)：
±25V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
46 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
2.4W (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
6-MicroFET (2x2)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.6V @ 250µA
Paquete / Estuche：
6-PowerWDFN
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
13.5mOhm @ 11A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2160 pF @ 15 V
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