MKI50-12F7
IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2
Numéro de pièce：
MKI50-12F7
Fabricant：
Littelfuse / IXYS RF
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
IGBT Modules >
Description：
IGBT MODULE 1200V 65A 350W E2
RoHS：
YES
MKI50-12F7 Spécifications
Type de montage：
Chassis Mount
Température de fonctionnement：
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
1200 V
Saisir：
Standard
Thermistance CTN：
No
Type IGBT：
NPT
Colis/Caisse：
E2
Package d'appareil du fournisseur：
E2
Puissance - Max：
350 W
Configuration：
Full Bridge Inverter
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
65 A
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce：
3.3 nF @ 25 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
3.8V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max)：
700 µA
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Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：1601
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