CSD85301Q2

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CSD85301Q2

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

Numéro de pièce：

CSD85301Q2

Modèle alternatif：

CSD87502Q2 , BQ29700DSER , DMP2160UFDBQ-7 , FA-128 48.0000MF20X-K0 , IN-S63TBS5R5G5B , AP3019AKTR-G1 , ECS-200-18-30B-AGN-TR , TPS70918DRVRM3 , STPS640CSFY , AH8503-FDC-7 , TLV9004IDYYR , DZ9F10S92-7 , BQ24075RGTR , IPBT-103-H1-T-S-K , BLM15PX601SZ1D , CSD85301Q2T

Fabricant：

Texas Instruments

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >

Description：

MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON

RoHS：

YES

：

CSD85301Q2

CSD85301Q2 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Colis/Caisse：

6-WDFN Exposed Pad

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Configuration：

2 N-Channel (Dual)

Vgs(e) (Max) @ Id：

1.2V @ 250µA

Tension drain-source (Vdss)：

20V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

Puissance - Max：

2.3W

Package d'appareil du fournisseur：

6-WSON (2x2)

Fonctionnalité FET：

Logic Level Gate, 5V Drive

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

27mOhm @ 5A, 4.5V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

5.4nC @ 4.5V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

469pF @ 10V

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Enquête rapide

Délai standard du fabricant：À déterminer

Quantité d'emballage standard：18760

Quantité

Prix unitaire

Prix internationaux

3000

0.24

720

6000

0.23

1380

9000

0.21

1890

30000

0.21

6300

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