FQPF9P25YDTU

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FQPF9P25YDTU

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

Numéro de pièce：

FQPF9P25YDTU

Modèle alternatif：

FQPF9P25YDTU , FQPF9P25

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3

RoHS：

YES

：

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FQPF9P25YDTU Spécifications

Type de montage：

Through Hole

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type FET：

P-Channel

Vgs (Max)：

±30V

Tension drain-source (Vdss)：

250 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Dissipation de puissance (maximum)：

50W (Tc)

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

6A (Tc)

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

38 nC @ 10 V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1180 pF @ 25 V

Colis/Caisse：

TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Package d'appareil du fournisseur：

TO-220F-3 (Y-Forming)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

620mOhm @ 3A, 10V

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