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FGH75T65SHD-F155
IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
Numéro de pièce：
FGH75T65SHD-F155
Modèle alternatif：
NCD57000DWR2G  ,  NCD5700DR2G  ,  FGH75T65SHDT-F155  ,  FGA60N65SMD  ,  FGH75T65SQD-F155  ,  IKWH60N65WR6XKSA1  ,  FGH75T65SQDNL4  ,  FGH75T65SQDT-F155  ,  IGW75N60TFKSA1  ,  IRF200P222  ,  HCPL-3120-500E  ,  FGH75T65SHDTL4  ,  FGHL50T65MQDT  ,  FGH60T65SHD-F155  ,  IKW30N60TFKSA1  ,  FGH40T65SHDF-F155  ,  FGH75T65UPD-F085
Fabricant：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Catégorie：
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > Single IGBTs >
Description：
IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247-3
RoHS：
YES
：
FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155     FGH75T65SHD-F155    
FGH75T65SHD-F155 Spécifications
Type de montage：
Through Hole
Température de fonctionnement：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type IGBT：
Trench Field Stop
Type d'entrée：
Standard
Colis/Caisse：
TO-247-3
Package d'appareil du fournisseur：
TO-247-3
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (Max)：
650 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic：
2.1V @ 15V, 75A
Courant - Collecteur (Ic) (Max)：
150 A
Courant - Collecteur pulsé (Icm)：
225 A
Puissance - Max：
455 W
Frais de porte：
123 nC
Condition de test：
400V, 75A, 3Ohm, 15V
Changer d'énergie：
2.4mJ (on), 720µJ (off)
Td (marche/arrêt) à 25°C：
28ns/80ns
Temps de récupération inversée (trr)：
43.4 ns
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Enquête rapide
Délai standard du fabricant：À déterminer
Quantité d'emballage standard：2195
Quantité
Prix unitaire
Prix internationaux
1
7.33
7.33
30
5.81
174.3
120
4.97
596.4
510
4.42
2254.2
1020
3.78
3855.6
2010
3.56
7155.6
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