FQB27N25TM-F085

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FQB27N25TM-F085

MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK

Numéro de pièce：

FQB27N25TM-F085

Fabricant：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Catégorie：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Description：

MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK

RoHS：

YES

：

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FQB27N25TM-F085 Spécifications

Type de montage：

Surface Mount

Grade：

Automotive

Type FET：

N-Channel

Technologie：

MOSFET (Metal Oxide)

Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)：

10V

Température de fonctionnement：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Qualification：

AEC-Q101

Vgs (Max)：

±30V

Tension drain-source (Vdss)：

250 V

Vgs(e) (Max) @ Id：

5V @ 250µA

Package d'appareil du fournisseur：

TO-263 (D2PAK)

Colis/Caisse：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Dissipation de puissance (maximum)：

417W (Tc)

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds：

1800 pF @ 25 V

Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs：

49 nC @ 10 V

Courant - Drain continu (Id) à 25°C：

25.5A (Tc)

Rds activé (Max) @ Id, Vgs：

131mOhm @ 25.5A, 10V

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