IXFN200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
部品番号：
IXFN200N10P
代替モデル：
IXTN200N10T , HSA505R1J , VS-FC420SA10 , IXFN230N20T , IXTN660N04T4 , IXFN360N10T , VS-FC270SA20 , IXFN400N15X3 , VS-FC420SA15 , IXTN210P10T , IXFN210N20P , IXFN170N25X3 , IXFN300N10P , IXTN200N10L2 , 87606-309LF
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
RoHS の：
YES
IXFN200N10P 仕様
取付タイプ：
Chassis Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
パッケージ・ケース：
SOT-227-4, miniBLOC
サプライヤーデバイスパッケージ：
SOT-227B
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
7600 pF @ 25 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
235 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
200A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
5V @ 8mA
消費電力(最大)：
680W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
7.5mOhm @ 500mA, 10V
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24.05
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