SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
部品番号：
SI3590DV-T1-E3
代替モデル：
SI3590DV-T1-GE3 , SI3585CDV-T1-GE3 , SI3552DV-T1-E3 , R1240N001B-TR-FE , SI2333DDS-T1-GE3 , LTC2107CUK#PBF , FDC6333C , SSF3714 , 1091 , MCP6074T-E/SL , BAS16LT3G , MGSF1N02LT1G , STM32F103C8T6 , 1934218-1 , DMG6602SVT-7
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
RoHS の：
YES
SI3590DV-T1-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-TSOP
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
構成：
N and P-Channel
FETの特徴：
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
パワー - 最大：
830mW
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
4.5nC @ 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.5A, 1.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
77mOhm @ 3A, 4.5V
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