SI7904BDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
部品番号：
SI7904BDN-T1-GE3
代替モデル：
SI7232DN-T1-GE3 , SI7904BDN-T1-E3 , DMP2123L-7 , SISB46DN-T1-GE3 , SI7216DN-T1-E3 , SIS990DN-T1-GE3 , ADG719BRTZ-REEL7 , AONR21357 , 5M1270ZT144C5N , SI4204DY-T1-GE3 , HCPL-817-56DE , SIA906EDJ-T1-GE3 , SI7106DN-T1-E3 , TL431BIDBZR , SQA410EJ-T1_GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212
RoHS の：
YES
SI7904BDN-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
構成：
2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6A
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 1212-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® 1212-8 Dual
パワー - 最大：
17.8W
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
30mOhm @ 7.1A, 4.5V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
24nC @ 8V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
860pF @ 10V
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