SI7115DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
部品番号：
SI7115DN-T1-GE3
代替モデル：
FDMC86261P , DGH106Q2R7 , SI7115DN-T1-E3 , SI7119DN-T1-GE3 , BZX84-C12 , 215 , IRFR6215TRPBF , SI7113DN-T1-E3 , 2N7002DWH6327XTSA1 , SI7489DP-T1-GE3 , HMC427ALP3ETR , MC74LCX245DTR2G , APG0603SYC-TT , ACS781LLRTR-050B-T , MMSZ5240BS-7-F , NLVHC4851ADR2G
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
RoHS の：
YES
SI7115DN-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
6V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
FETタイプ：
P-Channel
動作温度：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® 1212-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 1212-8
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
150 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1190 pF @ 50 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
3.7W (Ta), 52W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
8.9A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
295mOhm @ 4A, 10V
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