SI7601DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
部品番号：
SI7601DN-T1-GE3
代替モデル：
ADP1864AUJZ-R7
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 20V 16A PPAK1212-8
RoHS の：
YES
SI7601DN-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETタイプ：
P-Channel
動作温度：
-50°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® 1212-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 1212-8
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
2.5V, 4.5V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20 V
Vgs (最大)：
±12V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
16A (Tc)
消費電力(最大)：
3.8W (Ta), 52W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
27 nC @ 5 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.6V @ 250µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
19.2mOhm @ 11A, 4.5V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1870 pF @ 10 V
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