SI7611DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
部品番号：
SI7611DN-T1-GE3
代替モデル：
SIS443DN-T1-GE3 , FDMC8327L , MM5Z12VT5G , BSC100N06LS3GATMA1 , 1N5819HW-7-F , BSC093N04LSGATMA1 , LT8391EFE#PBF , 150060RS75000 , SQS401EN-T1_BE3 , LM1085ISX-3.3/NOPB , SQJ431EP-T1_GE3 , SI7617DN-T1-GE3 , ACM7060-701-2PL-TL01 , SI7252DP-T1-GE3 , SI7463ADP-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 40V 18A PPAK1212-8
RoHS の：
YES
SI7611DN-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
40 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
FETタイプ：
P-Channel
動作温度：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® 1212-8
パッケージ・ケース：
PowerPAK® 1212-8
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
62 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
18A (Tc)
消費電力(最大)：
3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
25mOhm @ 9.3A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1980 pF @ 20 V
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