SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
部品番号：
SIA413DJ-T1-GE3
代替モデル：
SIA447DJ-T1-GE3 , SIA469DJ-T1-GE3 , L1IZ-0850000000000 , PMXB65UPEZ , 2059571071 , ECS-250-8-33-JGN-TR , SN74LVC126AQDRG4Q1 , B4B-PH-SM4-TBT , FDMA908PZ , 5027740891 , BSS138LT3G , SI2315BDS-T1-E3 , LTST-C193KFKT-5A , ZXMN3F30FHTA , SN74LVC1G126DCKT
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
RoHS の：
YES
SIA413DJ-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
12A (Tc)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
12 V
Vgs (最大)：
±8V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID：
1V @ 250µA
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SC-70-6
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
57 nC @ 8 V
消費電力(最大)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SC-70-6
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1800 pF @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
29mOhm @ 6.7A, 4.5V
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