SI4116DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
部品番号:
SI4116DY-T1-GE3
代替モデル:
SI6423DQ-T1-GE3  ,  156125YS57000  ,  A3908EEETR-T  ,  S4B-PH-SM4-TB  ,  500ASSP1SM6QE  ,  HTST-106-01-L-DV  ,  SI4116DY-T1-E3  ,  INA180A1IDBVR  ,  S2751-46R  ,  1812L110/24DR
製造元:
Vishay / Siliconix
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
RoHS の:
YES
SI4116DY-T1-GE3 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ:
8-SOIC
パッケージ・ケース:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大):
±12V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
56 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
25 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
18A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
2.5V, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID:
1.4V @ 250µA
消費電力(最大):
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
8.6mOhm @ 10A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1925 pF @ 15 V
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メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:2140
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単価
国際価格
2500
0.55
1375
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0.52
2600
12500
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