IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
部品番号：
IXTA1R4N100P
代替モデル：
IXTA1R4N100PTRL , MBR120150WT , SIHB24N80AE-GE3 , BZT52H-B20 , 115 , PH9455.356NL , S4D08120E , STN0214 , STPSC2H12B2Y-TR , 4180G , 1.5SMC150A , SN6507DGQR , RN122-2.5-02-5M6 , PA1005.100NLT , 68001-102HLF , 3296Y-1-501LF , V575LA80BP
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263
RoHS の：
YES
IXTA1R4N100P 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1000 V
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.4A (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4.5V @ 50µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263AA
消費電力(最大)：
63W (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
17.8 nC @ 10 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
450 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
11Ohm @ 500mA, 10V
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標準包装数量：1916
数量
単価
国際価格
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2000
1.71
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5000
1.64
8200
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