IPB80N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
部品番号：
IPB80N08S207ATMA1
代替モデル：
AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR , INA186A2IDDFR , MAX33012EASA+ , LTC7001EMSE#PBF , STDCQR1-25M , BUK9Y4R8-60E , 115 , TM4C1233H6PMI , SI5419DU-T1-GE3 , IPB80N08S2L07ATMA1 , SMDJ75CA , BTS6143DAUMA1 , PMBTA06 , 215
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
RoHS の：
YES
IPB80N08S207ATMA1 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
75 V
消費電力(最大)：
300W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
4700 pF @ 25 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO263-3-2
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
180 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
7.1mOhm @ 80A, 10V
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