IXTY08N100D2
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
部品番号：
IXTY08N100D2
代替モデル：
IXTY08N100D2-TRL , PA0367ANLT , IXTY01N100 , BSP135H6327XTSA1 , IXTY1R6N100D2-TRL , IXTY01N100D
製造元：
Wickmann / Littelfuse
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
RoHS の：
YES
IXTY08N100D2 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1000 V
パッケージ・ケース：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-252AA
消費電力(最大)：
60W (Tc)
FETの特徴：
Depletion Mode
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
800mA (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
325 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
21Ohm @ 400mA, 0V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
14.6 nC @ 5 V
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2.54
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1050
2.18
2289
2030
2.05
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