IXTP3N100D2
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
部品番号：
IXTP3N100D2
代替モデル：
PT12-21C/TR8 , IXTP08N100D2 , SM6T6V8CA , ESE-24MV1T , IXTP6N50D2 , IXTP6N100D2 , IXTP1R6N100D2 , IXTP3N50D2
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
RoHS の：
YES
IXTP3N100D2 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1000 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
3A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-220-3
消費電力(最大)：
125W (Tc)
FETの特徴：
Depletion Mode
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1020 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
5.5Ohm @ 1.5A, 0V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
37.5 nC @ 5 V
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2.55
2550
2000
2.41
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