IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
部品番号：
IXTP1R6N100D2
代替モデル：
IXTP08N100D2 , IXTY1R6N100D2 , IXTP3N100D2
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
RoHS の：
YES
IXTP1R6N100D2 仕様
取付タイプ：
Through Hole
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1000 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-220-3
消費電力(最大)：
100W (Tc)
FETの特徴：
Depletion Mode
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
27 nC @ 5 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.6A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
645 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
10Ohm @ 800mA, 0V
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数量
単価
国際価格
1
3.89
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50
3.08
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2.64
264
500
2.35
1175
1000
2.01
2010
2000
1.89
3780
5000
1.82
9100
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