IXTA1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
部品番号：
IXTA1R6N100D2
代替モデル：
IXTA1R6N100D2-TRL , IXTA1R6N100D2-TRL , IXTA1R6N100D2HV , IXTY1R6N100D2 , IXTA3N100D2 , IXTA08N100D2 , IXTA1N170DHV
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
RoHS の：
YES
IXTA1R6N100D2 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
1000 V
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
消費電力(最大)：
100W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263AA
FETの特徴：
Depletion Mode
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
27 nC @ 5 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1.6A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
645 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
10Ohm @ 800mA, 0V
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：1721
数量
単価
国際価格
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4.1
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50
3.26
163
100
2.78
278
500
2.48
1240
1000
2.12
2120
2000
2
4000
5000
1.91
9550
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