IXTP6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
部品番号:
IXTP6N100D2
代替モデル:
IXTP08N100D2  ,  STP8NK100Z  ,  IXTH6N100D2  ,  IXTP6N50D2  ,  IXTH6N50D2  ,  IXTH16N50D2  ,  IXTP3N50D2  ,  IXTP3N100D2
製造元:
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
RoHS の:
YES
IXTP6N100D2 仕様
取付タイプ:
Through Hole
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大):
±20V
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース:
TO-220-3
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
1000 V
サプライヤーデバイスパッケージ:
TO-220-3
消費電力(最大):
300W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
FETの特徴:
Depletion Mode
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
95 nC @ 5 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
2650 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
2.2Ohm @ 3A, 0V
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メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:1600
数量
単価
国際価格
1
10.11
10.11
50
8.07
403.5
100
7.22
722
500
6.37
3185
1000
5.73
5730
2000
5.37
10740
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