IPI80P03P4L07AKSA1
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
部品番号：
IPI80P03P4L07AKSA1
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 30V 80A TO262-3
RoHS の：
NO
IPI80P03P4L07AKSA1 仕様
取付タイプ：
Through Hole
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
パッケージ・ケース：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
80A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5700 pF @ 25 V
Vgs (最大)：
+5V, -16V
サプライヤーデバイスパッケージ：
PG-TO262-3
消費電力(最大)：
88W (Tc)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2V @ 130µA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
7.2mOhm @ 80A, 10V
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