IRFH5010TRPBF
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
部品番号：
IRFH5010TRPBF
代替モデル：
IRFH5010TR2PBF , 1EDN7512BXTSA1 , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , IRLH5030TRPBF , SP4065-08ATG , TLV6703QDSERQ1 , IPD220N06L3GATMA1 , TDA08H0SB1 , ATL431LIAQDQNR , IRLML9301TRPBF , SQ1464EEH-T1_GE3 , ZXMP6A17E6QTA , FDMS86150 , IRFH5015TRPBF , NSR20F30NXT5G , IRLML0060TRPBF , LT4356HDE-1#PBF , STL100N10F7
製造元：
IR (Infineon Technologies)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 100V 13A/100A 8PQFN
RoHS の：
YES
IRFH5010TRPBF 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
100 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
パッケージ・ケース：
8-PowerVDFN
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-PQFN (5x6)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 150µA
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
4340 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
9mOhm @ 50A, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
13A (Ta), 100A (Tc)
消費電力(最大)：
3.6W (Ta), 250W (Tc)
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