SI1900DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
部品番号：
SI1900DL-T1-E3
代替モデル：
FDG6303N , SIA906EDJ-T1-GE3 , FDG8850NZ , MCP619T-I/ST , BSS84LT1G , SI2303CDS-T1-E3 , DMN3190LDW-7 , MCP2021AT-330E/MD
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
RoHS の：
YES
SI1900DL-T1-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤーデバイスパッケージ：
SC-70-6
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
構成：
2 N-Channel (Dual)
パワー - 最大：
270mW
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
1.4nC @ 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
590mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
480mOhm @ 590mA, 10V
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