SI3590DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
部品番号：
SI3590DV-T1-GE3
代替モデル：
NTGD4167CT1G , DMG6602SVTQ-7 , SI3590DV-T1-E3 , DMP2160UFDB-7 , SI3552DV-T1-E3 , MX25V1635FZUI , FDC6333C , SQ3585EV-T1_GE3 , DMC3061SVTQ-7 , SSF3714 , IRLML0030TRPBF , MIC2008YM6-TR , MAX6816EUS+T , DMG6601LVT-7 , DMC3060LVT-7
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
RoHS の：
YES
SI3590DV-T1-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
サプライヤーデバイスパッケージ：
6-TSOP
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
構成：
N and P-Channel
FETの特徴：
Logic Level Gate
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.5V @ 250µA
パワー - 最大：
830mW
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
4.5nC @ 4.5V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
2.5A, 1.7A
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
77mOhm @ 3A, 4.5V
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