SIA921EDJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
部品番号:
SIA921EDJ-T1-GE3
代替モデル:
LTC4412HVIS6#TRPBF  ,  SAMA7G54-V/4HB  ,  QS3VH257PAG  ,  DMN2040LTS-13  ,  TST-110-01-G-D  ,  MPZ1005S330HT000  ,  MX66LM1G45GXDI00  ,  ABM8W-12.0000MHZ-8-K1Z-T3  ,  RT9013-33GU5  ,  TL3301NF260QG  ,  LM4040AIM3X-3.0/NOPB  ,  SIA931DJ-T1-GE3  ,  CX90M-16P  ,  MAX4376TAUK+T  ,  RT9013-33GB
製造元:
Vishay / Siliconix
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
説明:
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS の:
YES
SIA921EDJ-T1-GE3 仕様
取付タイプ:
Surface Mount
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴:
Logic Level Gate
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
20V
構成:
2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (最大) @ ID:
1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
23nC @ 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
4.5A
パッケージ・ケース:
PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ:
PowerPAK® SC-70-6 Dual
パワー - 最大:
7.8W
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
59mOhm @ 3.6A, 4.5V
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メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:6020
数量
単価
国際価格
3000
0.25
750
6000
0.24
1440
9000
0.22
1980
30000
0.22
6600
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