NVMFD5877NLT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
部品番号：
NVMFD5877NLT1G
代替モデル：
NVMFD5877NLT3G , NVMFD5C680NLWFT1G , STL7DN6LF3 , NVMFS5C442NLWFAFT1G , NCV4296-2CSN50T1G , NRVBS3200NT3G , SZ1SMA5945BT3G , NCV7344AD10R2G , MURB1620CTRT4G , NVTFS5116PLTWG , NVMFS3D0P04M8LT1G , NCV33161DMR2G , NVTFS5C453NLTAG , NCV8460ADR2G
製造元：
Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
RoHS の：
YES
NVMFD5877NLT1G 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
資格：
AEC-Q101
パッケージ・ケース：
8-PowerTDFN
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
構成：
2 N-Channel (Dual)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6A
パワー - 最大：
3.2W
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
20nC @ 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
540pF @ 25V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
39mOhm @ 7.5A, 10V
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