NVTFS5116PLTWG
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
部品番号：
NVTFS5116PLTWG
代替モデル：
NVTFS5116PLTAG , DMP6023LFGQ-7 , NVTFS5116PLWFTWG , SI2300DS-T1-GE3 , SQJB02ELP-T1_GE3 , SI7489DP-T1-GE3 , NCV890104MWR2G , NTTFS5116PLTWG , NCV47711PDAJR2G , NCV7520MWTXG , MAX6861UK225+T , AON7296 , NVTFS5116PLWFTAG , FDMC86139P , INA132UA/2K5 , ADXL345BCCZ
製造元：
Sanyo Semiconductor/onsemi
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
RoHS の：
YES
NVTFS5116PLTWG 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
学年：
Automotive
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
動作温度：
-55°C ~ 175°C (TJ)
FETタイプ：
P-Channel
資格：
AEC-Q101
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-WDFN (3.3x3.3)
パッケージ・ケース：
8-PowerWDFN
Vgs(th) (最大) @ ID：
3V @ 250µA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
6A (Ta)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
25 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
3.2W (Ta), 21W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1258 pF @ 25 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
52mOhm @ 7A, 10V
興味のある製品
FQB27N25TM-F085
MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK
追加注文
FDMA6676PZ
MOSFET P-CH 30V 11A 6MICROFET
追加注文
FQPF9P25YDTU
MOSFET P-CH 250V 6A TO220F-3
追加注文
DMP2021UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
$0.28
追加注文
DMN6075S-13
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
$0.07
追加注文
DMN3053L-13
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
$0.1
追加注文
IRL7486MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
$1.19
追加注文
IRFI7446GPBF
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB FP
追加注文
IRFI7440GPBF
MOSFET N-CH 40V 95A TO220AB FP
追加注文
IRFH7194TRPBF
MOSFET N-CH 100V 11A/35A 8PQFN
追加注文
IRFH7191TRPBF
MOSFET N-CH 100V 15A/80A PQFN
$1.12
追加注文
IRFH7188TRPBF
MOSFET N-CH 100V 18A/105A PQFN
追加注文
IRF7483MTRPBF
MOSFET N-CH 40V 135A DIRECTFET
追加注文
迅速な見積もり依頼
メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：5756
数量
単価
国際価格
5000
0.48
2400
10000
0.45
4500
ヒント：次の表に記入してください。できるだけ早く連絡します。
atla@hk-atla.com
