NE3511S02-T1C-A
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
部品番号：
NE3511S02-T1C-A
製造元：
CEL (California Eastern Laboratories)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
RF FETs, MOSFETs >
説明：
RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02
RoHS の：
NO
NE3511S02-T1C-A 仕様
電圧 - 定格：
4 V
パッケージ・ケース：
4-SMD, Flat Leads
頻度：
12GHz
電圧 - テスト：
2 V
電流 - テスト：
10 mA
テクノロジー：
GaAs HJ-FET
得：
13.5dB
雑音指数：
0.3dB
定格電流 (アンペア)：
70mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
S02
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