NP36P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
部品番号：
NP36P06KDG-E1-AY
代替モデル：
FQB47P06TM-AM002 , FQB27P06TM , 0439151206 , IRF5210STRLPBF , IRF4905STRLPBF , NP36P04KDG-E1-AY , BZT52C2V0-7-F , NTB25P06T4G , NP36P06SLG-E1-AY , SMAZ33-13-F , 2SA1163-BL , LF , 2SC2713-GR , LF , IXTA96P085T , ICL7665AESA+
製造元：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 60V 36A TO263
RoHS の：
YES
NP36P06KDG-E1-AY 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
動作温度：
175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 1mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
54 nC @ 10 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
36A (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
29.5mOhm @ 18A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
3100 pF @ 10 V
消費電力(最大)：
1.8W (Ta), 56W (Tc)
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標準包装数量：4342
数量
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国際価格
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1.33
1064
1600
1.13
1808
2400
1.08
2592
5600
1.03
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