NP50P06KDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
部品番号：
NP50P06KDG-E1-AY
代替モデル：
IRF4905STRLPBF , PTVS3V3S1UTR , 115 , IPB110P06LMATMA1 , MCB110P06Y-TP , SBH21-NBPN-D07-ST-BK , NP36P04KDG-E1-AY , FSM2JSMAATR , SPB80P06PGATMA1 , NP50P04KDG-E1-AY , 2311775-1 , MCU50P06Y-TP , VXO78015-1000 , NP50P06SDG-E1-AY , 8W-20.000MBE-T , SQD50P08-25L_GE3
製造元：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 60V 50A TO263
RoHS の：
YES
NP50P06KDG-E1-AY 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
動作温度：
175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 1mA
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
50A (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
5000 pF @ 10 V
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
95 nC @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
17mOhm @ 25A, 10V
消費電力(最大)：
1.8W (Ta), 90W (Tc)
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1.46
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2400
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3336
5600
1.34
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