NP83P06PDG-E1-AY
MOSFET P-CH 60V 83A TO263
部品番号：
NP83P06PDG-E1-AY
代替モデル：
GSFT06130 , ATP304-TL-H , RD3L07BATTL1 , TJ60S06M3L , LXHQ , SUM110P06-07L-E3 , NP100P06PDG-E1-AY , IPB110P06LMATMA1 , NP50P06KDG-E1-AY , TJ60S06M3L(T6L1 , NQ , NP100P06PLG-E1-AY , RS1L151ATTB1 , MCAC80P06Y-TP , G080P06M , SQD50P06-15L_GE3 , LTM8051IY
製造元：
Intersil (Renesas Electronics Corporation)
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 60V 83A TO263
RoHS の：
YES
NP83P06PDG-E1-AY 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
60 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4.5V, 10V
Vgs (最大)：
±20V
FETタイプ：
P-Channel
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
動作温度：
175°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 1mA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
83A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
190 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
1.8W (Ta), 150W (Tc)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
10100 pF @ 10 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
8.8mOhm @ 41.5A, 10V
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：2775
数量
単価
国際価格
800
2.39
1912
1600
2.04
3264
2400
1.93
4632
5600
1.85
10360
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