SIHB22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
部品番号：
SIHB22N60E-E3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
RoHS の：
YES
SIHB22N60E-E3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (最大)：
±30V
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263 (D2PAK)
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
21A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
86 nC @ 10 V
消費電力(最大)：
227W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
180mOhm @ 11A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
1920 pF @ 100 V
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