TK2A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
部品番号:
TK2A65D(STA4,Q,M)
代替モデル:
TK3R1E04PL  ,  S1X
製造元:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 650V 2A TO220SIS
RoHS の:
YES
TK2A65D(STA4,Q,M) 仕様
取付タイプ:
Through Hole
動作温度:
150°C (TJ)
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
10V
Vgs (最大):
±30V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
650 V
パッケージ・ケース:
TO-220-3 Full Pack
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
9 nC @ 10 V
消費電力(最大):
30W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ:
TO-220SIS
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
380 pF @ 25 V
Vgs(th) (最大) @ ID:
4.4V @ 1mA
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
3.26Ohm @ 1A, 10V
迅速な見積もり依頼
メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:1650
数量
単価
国際価格
1
1.53
1.53
50
1.22
61
100
0.97
97
500
0.83
415
1000
0.67
670
2000
0.63
1260
5000
0.61
3050
10000
0.57
5700
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