SIHP22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
部品番号:
SIHP22N60E-E3
製造元:
Vishay / Siliconix
カテゴリ:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
説明:
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
RoHS の:
YES
SIHP22N60E-E3 仕様
取付タイプ:
Through Hole
FETタイプ:
N-Channel
テクノロジー:
MOSFET (Metal Oxide)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン):
10V
動作温度:
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ:
TO-220AB
パッケージ・ケース:
TO-220-3
Vgs (最大):
±30V
Vgs(th) (最大) @ ID:
4V @ 250µA
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss):
600 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C:
21A (Tc)
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs:
86 nC @ 10 V
消費電力(最大):
227W (Tc)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs:
180mOhm @ 11A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds:
1920 pF @ 100 V
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メーカー標準納期:保留中
標準包装数量:1600
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2.21
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