IXTT10N100D2

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IXTT10N100D2

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

部品番号：

IXTT10N100D2

代替モデル：

IXTT16N50D2 , IXTT16N20D2

製造元：

Littelfuse / IXYS RF

カテゴリ：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

説明：

MOSFET N-CH 1000V 10A TO268

RoHS の：

YES

：

IXTT10N100D2

IXTT10N100D2 仕様

取付タイプ：

Surface Mount

FETタイプ：

N-Channel

テクノロジー：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (最大)：

±20V

駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：

10V

動作温度：

-55°C ~ 150°C (TJ)

ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：

1000 V

電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：

10A (Tc)

FETの特徴：

Depletion Mode

消費電力(最大)：

695W (Tc)

入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：

5320 pF @ 25 V

パッケージ・ケース：

TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA

サプライヤーデバイスパッケージ：

TO-268AA

Rds オン (最大) @ Id、Vgs：

1.5Ohm @ 5A, 10V

ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：

200 nC @ 5 V

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