SIA921EDJ-T4-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
部品番号：
SIA921EDJ-T4-GE3
代替モデル：
PMDPB58UPE , 115 , SIA921EDJ-T1-GE3
製造元：
Vishay / Siliconix
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
説明：
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
RoHS の：
YES
SIA921EDJ-T4-GE3 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
FETの特徴：
Logic Level Gate
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
20V
構成：
2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (最大) @ ID：
1.4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
23nC @ 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
4.5A
パッケージ・ケース：
PowerPAK® SC-70-6 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ：
PowerPAK® SC-70-6 Dual
パワー - 最大：
7.8W
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
59mOhm @ 3.6A, 4.5V
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