GPA015A120MN-ND
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
部品番号：
GPA015A120MN-ND
製造元：
SemiQ
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
説明：
IGBT 1200V 30A 212W TO3PN
RoHS の：
YES
GPA015A120MN-ND 仕様
取付タイプ：
Through Hole
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)：
1200 V
パッケージ・ケース：
TO-3P-3, SC-65-3
入力方式：
Standard
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic：
2.5V @ 15V, 15A
電流 - コレクタ (Ic) (最大)：
30 A
試験条件：
600V, 15A, 10Ohm, 15V
電流 - コレクタパルス (Icm)：
45 A
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-3PN
ゲートチャージ：
210 nC
IGBTの種類：
NPT and Trench
逆回復時間 (trr)：
320 ns
パワー - 最大：
212 W
スイッチングエネルギー：
1.61mJ (on), 530µJ (off)
Td (オン/オフ) @ 25°C：
25ns/166ns
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