GPA030A135MN-FDR
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
部品番号：
GPA030A135MN-FDR
製造元：
SemiQ
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
IGBTs >
Single IGBTs >
説明：
IGBT 1350V 60A 329W TO3PN
RoHS の：
YES
GPA030A135MN-FDR 仕様
取付タイプ：
Through Hole
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
IGBTの種類：
Trench Field Stop
パッケージ・ケース：
TO-3P-3, SC-65-3
入力方式：
Standard
電流 - コレクタ (Ic) (最大)：
60 A
電流 - コレクタパルス (Icm)：
90 A
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-3PN
Vce(on) (最大) @ Vge、Ic：
2.4V @ 15V, 30A
電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大)：
1350 V
逆回復時間 (trr)：
450 ns
パワー - 最大：
329 W
Td (オン/オフ) @ 25°C：
30ns/145ns
ゲートチャージ：
300 nC
試験条件：
600V, 30A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー：
4.4mJ (on), 1.18mJ (off)
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