RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
部品番号：
RRH100P03GZETB
代替モデル：
RRH090P03GZETB , IPD380P06NMATMA1 , SI4425BDY-T1-E3 , 88E1510-A0-NNB2C000 , TLV7163318PDPQR , AXK6S20447M3 , BLA31BD221SN4D , DS92LV2411SQE/NOPB , SN65LV1023ADBR , BM09B-SRSS-TBT , G2RL-1A-E DC5 , NANOSMDC050F/13.2-2 , IRFIZ44NPBF , LP2997MRX/NOPB , 1SS352 , H3F
製造元：
ROHM Semiconductor
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
RoHS の：
YES
RRH100P03GZETB 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
パッケージ・ケース：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤーデバイスパッケージ：
8-SOP
動作温度：
150°C (TJ)
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
FETタイプ：
P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (最大) @ ID：
2.5V @ 1mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
4V, 10V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
10A (Ta)
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
12.6mOhm @ 10A, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
3600 pF @ 10 V
消費電力(最大)：
650mW (Ta)
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