IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
部品番号：
IXTA1N200P3HV
代替モデル：
IXTT1N250HV , APT9M100S , IXTH3N200P3HV , STN0214 , IXBK55N300 , G2R1000MT17J , STW3N170 , 0ADAP4000-RE , IXTT2N300P3HV , IXBX55N300 , IXTT1N300P3HV , DSPIC33FJ64MC802-I/MM , UF4010G_AY_00001 , ZXGD3005E6TA , IXTA02N250HV , IXTA1N200P3HV-TRL
製造元：
Littelfuse / IXYS RF
カテゴリ：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
説明：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
RoHS の：
YES
IXTA1N200P3HV 仕様
取付タイプ：
Surface Mount
FETタイプ：
N-Channel
テクノロジー：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (最大)：
±20V
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)：
10V
動作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (最大) @ ID：
4V @ 250µA
パッケージ・ケース：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
消費電力(最大)：
125W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C：
1A (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ：
TO-263AA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs：
23.5 nC @ 10 V
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)：
2000 V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds：
646 pF @ 25 V
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メーカー標準納期：保留中
標準包装数量：2752
数量
単価
国際価格
1
10.35
10.35
50
8.26
413
100
7.39
739
500
6.52
3260
1000
5.87
5870
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